IGBT功率器件动态参数测试仪 华科智源
价格 |
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所属行业 |
电子测量仪 |
厂家/商户所在地 |
广东-深圳 |
公司名 |
深圳市华科智源科技有限公司 |
主营产品 |
IGBT测试仪,IGBT测试仪设备,大功率IGBT测试仪,IGBT测试仪系统 |
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IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试,包括对半导体器件**缘栅双极晶体管(IGBT),功率MOSFET,二极管,双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析,可执行电阻和电感的开关时间,开关损耗,栅极电荷,TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
IGBT功率器件动态参数测试仪概述
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测试电压:zui大1200 VDC 200(短路电流可达1000A)
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定时测量:zui低为1 ns
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漏电流限制监视器
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- MOSFET开关时间测试, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试,Max ISC=1000A
测试标准:
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头
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ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472开关时间
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ITC57220 - TRR /电源,MOSFET和二极管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473
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ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471
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ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT,MIL-STD 750方法3477
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ITC57250 - (ISC)短路耐受时间,MIL-STD-750方法3479
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